О лаборатории «полупроводниковых датчиков»

Развита технология получения из жидкой фазы эпитаксиальных слоев соединений А3В5, предложены способы получения резкого тонкого перехода. Предложены устройства жидкостной эпитаксии позволяющие выращивать совершенные эпитаксиальные слои путем многостадийного роста, а также комбинированными способами, включающими изотермический и принудительный режимы охлаждения системы. Разработанный способ получения эпитаксиальных слоев концентрационным смешиванием растворов – расплавов через капиллярное отверстие позволяет получить заданный градиент распределения примесей (Патент РУз: IAP 04053 от 30.11.2009, Бюл., № 11). Цикл работ, посвященных развитию жидкостной эпитаксии, стал основой нового подхода процессу жидкостной эпитаксии.

Разработан новый класс многобарьерных фоточувствительных структур, обладающие внутренним фотоэлектрическим усилением первичного фототока в широком оптическом диапазоне 0.4÷1.6 мкм, малой емкостью. Особенностью этих структур является работоспособность при комнатной температуре в инфракрасной области спектра, перспективной для приема и детектирования оптических сигналов в волоконно-оптических и телекоммуникационных системах (Патент РУз: IAP 03974 от 31.07.2009, Бюл. №7 ). 

Ведутся физико-технологические работы по созданию многофункциональных датчиков, выполняющих одновременно функции электронного термометра, фотометра, регистратора магнитного поля и давления. Разработаны методы исследования тепловых свойств полупроводниковых структур и эффективности силовых ограничительных, СВЧ мощных диодов, предназначенных для защиты радиоэлектронной аппаратуры и использования в переключающих устройствах и фазовращателях.

Разработан фоточувствительный полевой транзистор на порядок большим коэффициентом усиления (70) и в два раза большей фоточувствительностью (800 А/Вт) по сравнению с аналогами (Патент РУз IAP 03382 от 31.12.2008, Бюл. № 12). Разработан составной полевой транзистор, с последовательно соединенными каналами, обладающий высоким коэффициентом усиления по току и напряжению по сравнению с аналогами, что позволяет на его основе создавать микрочипы для датчиков температуры и фотоприемников оптического сигнала. На их основе создана “Приставка регулятора тока на полевом транзисторе для группировки силовых диодов и ограничителей напряжения”, а также “Измеритель температуры на основе полупроводникового датчика с управляемой чувствительностью”, которые можно использовать для группировки (сортировки) силовых диодов (ограничителей, стабилизаторов), оценки качества полупроводниковых приборов, в том числе производимых в ОАО “FOTON”.