Каримов А.В. , Ёдгорова Д.М. ФИЗИЧЕСКИЕ ЯВЛЕНИЯ В АРСЕНИДГАЛЛИЕВЫХ СТРУКТУРАХ С МИКРОСЛОЙНЫМ КВАЗИИЗОПЕРИОДИЧЕСКИМ ПЕРЕХОДОМ. // Ташкент Издательство “Фан” Академии наук Республики Узбекистан 2005.

В монографии рассматриваются: сведения о поверхности и влиянии различных сред её свойства, металлургические и межзеренные, электронные и физические границы в полупроводниках; физико-технологические проблемы, влияние промежуточных слоев на свойства р-n-переходов; принципы и способы получения резкого и тонкого р-n-перехода; структуры с запирающим р-n-переходом, возможности улучшения температурных и фотоэлектрических свойств; термоэлектрический и фотовольтаические эффекты в микрорежимных полевых транзисторах; физические основы и принципы создания усовершенствованных структур; двухбарьерные и многослойные структуры с интегрированной изотипной и металло-полупроводниковой областью; фотоэлектрические явления в трехбарьерной структуре; технологические приемы создания структур для солнечных элементов с поверхностным и объемным микрорельефным р-n-переходами. Представляет интерес не только для специалистов по физике полупроводников, но и для широкого круга лиц, интересующихся новыми полупроводниковыми приборами, преподавателей вузов, студентов и аспирантов.