Pодился в 1966 году в Самаркандской области, специалист по физике полупроводников, старший научный сотрудник, кандидат физико-математических наук, лауреат премии Союза Молодежи Республики Узбекистан по науке и технике (1995 год), лауреат нагрудного значка «Отличник средне специального, профессионального образования Республики Узбекистан» (2004 год).
Разработал тонкослойные варизонные p-i-n- структурные фотопреобразователи на основе аморфного Si, Ge и SiC. Исследовал взаимодействие примесей в полупроводниковых твердых растворов на основе элементарных полупроводников и полупроводниковых соединений III-V и II-VI и определил энергетические уровни молекул в них, которые могут расположатся в валентной или запрещенной зоне полупроводника.
Автор (и соавтор) 1 сборника статей, более 60 научных статей по полупроводниковым твердым растворам, фотоэлектрическим, излучательным, тепеловольтаическим явлениям и механизмам переноса тока в p-n- и p-i-n- структурах на основе элементарных полупроводников и полупроводниковых твердых растворов, а также 3 учебных пособий для учащихся средне специального, профессионального образования. Подготовил 2 кандидатов наук.
Телефон: +99871 2359361
Факс: +998712354291
E-mail: ftikans@uzsci.net
Адрес: Узбекистан, 100084, г. Ташкент, ул. Чингиз Айтматов 2Б