Р. Т. Йулдошов является постдокторантом Лаборатории фотоэлектроники Физико-технического института им. С. А. Азимова Академии наук Республики Узбекистан. Его научные интересы охватывают тонкоплёночную фотовольтаику на основе халькогенидных и перовскитных материалов: осаждение поглощающих слоёв Sb₂Se₃ и CZTS методами термического испарения и химических технологий, постдепозиционную селенизацию, управление текстурой и ориентацией, пассивацию поверхностей и интерфейсов, изготовление структур на основе галидных перовскитов для солнечных элементов, а также структурную, элементную и оптическую характеризацию материалов солнечных элементов.