Лаборатория «Рост полупроводниковых кристаллов» создана в 1959 году под руководством академика М.С. Саидова в Физико-техническом институте АН РУз. В лаборатории проводятся научно-исследовательские работы по изучению физико-химических основ технологии получения  полупроводниковых материалов и приборов на их основе. Главными задачами являются установление закономерностей взаимодействия и распределения химических элементов в многокомпонентных одно- и двухфазных системах, применительно к вопросам полупроводникового материаловедения и твердотельной электроники,  особенно к солнечным элементам и светодиодам.

 Главным направлением исследований лаборатории является выяснение физико-технологических особенностей синтеза новых твердых растворов, модели самоорганизации в двух и многокомпонентных твердых растворах, получения нано-, гомо- и гетероструктур на основе элементарных полупроводников и полупроводниковых соединений класса А^IIIВ^V и А^IIВ^VI на кремниевых подложках, а также исследование фотовольтаических, тепловольтаических, фототепловольтаических и излучательных эффектов в них.

В лаборатории научной деятельностью занимаются 5 докторов наук, 5 кандидата наук, 2 соискателя, 2 докторанта, лаборанты и техники.

Основные достижения лаборатории.

В лаборатории были основаны новые направления исследований полупроводниковых материалов и преобразователей лучистой и тепловой энергии в электрическую: 1) непрерывные твердые растворы полупроводниковых соединений; 2) примесная фотовольтаика.

Впервые, на основе открытого нового явления - образования новых твердых растворов за счет замещения молекулами элементарных полупроводников IV группы молекул полупроводниковых соединений из группы III-V и II-VI и ряда теоретических и экспериментальных исследований, развиты три концепции создания твердых растворов и примесных эффектов в них: 1) О существовании нового класса полупроводниковых непрерывных твердых растворов замещения и перспективах их применения; 2) О путях осуществления примесных фотовольтаических и фототепловольтаических эффектов в фото- и теплоэлементах в целях значительного повышения эффективности солнечных элементов, и термофотовольтаических систем; 3) О физических эффектах, присущих только твердым растворам.

Для разработки концепции о существовании нового класса полупроводниковых твердых растворов замещения выдвинуты следующие идеи: молекулярные элементы C₂, Si₂, Ge₂, Sn₂, их комбинации CGe, CSn, SiGeSiSn, GeSn и их более сложные комбинации являются новыми, ранее неизвестными химическими соединениями, не описываемыми традиционными диаграммами состояний, новые химические соединения элементарных полупроводников и бинарных соединений III-V, II-VI в жидких металлических растворителях, при температуре ниже температуры плавления, находятся в виде молекул и образуют твердые растворы замещения при низкотемпературной кристаллизации эпитаксиальных слоев из жидкой фазы. Предложена формула для растворимости различных элементов в многокомпонентных системах и сформулированы условия образования новых твердых растворов замещения, которые заключаются в равенстве сумм валентностей и близких значениях сумм ковалентных радиусов атомов, образующих молекулы раствор-образующих компонентов. Под руководством профессора А.С. Саидова синтезированы на кремниевых подложках новые классы полупроводниковых варизонных непрерывных твердых растворов:

1-класс IV_1-xIV_x: Si_1-xGe_x, Si_1-xSn_x, Ge_1-xSn_x;

2-класс (IV₂)_1-x(A^IIIB^V)_x: (Ge₂)_1-x(GaAs)_x, (Si₂)_1-x(GaP)_x, (Ge₂)_1-x(InP)_x, (Sn₂)_1-x(InSb)_x, (Si₂)_1-x(GaSb)_x;

3-класс (IV₂)_1-x(A^IIB^VI)_x: (Ge₂)_1-x(CdTe)_x, (Ge₂)_1-x(ZnSe)_x, (Si₂)_1-x(ZnS)_x, (Si₂)_1-x(CdS)_x, (Si₂)_1-x(ZnSe)_x;

4–класс (IV₂)_1-x-y(A^IIIB^V)_x(A^IIB^V)_y: (Ge₂)_1-x-y(GaAs)_x(ZnSe)_y, (Si₂)_1-x-y(ZnSe)_x(GaP)_y.

В основу концепции о путях осуществления примесных фото- и фототепловольтаических эффектов предложены идеи о целесообразности использования изовалентных примесных элементов и соединений, соответствующих условию образования твердых растворов молекулярного замещения на основе базовых полупроводников. Предложен механизм фотовольтаического эффекта, обусловленного изовалентными примесями, энергетические уровни которых находятся в валентной зоне.

Впервые обнаружены энергетические уровни молекул (Si₂, Ge₂, GaP) узкозонных полупроводников, расположенные внутри запрещенной зоны широкозонных полупроводников соединений А^IIIВ^V и А^IIВ^VI, а также уровни молекул (GaAs, CdS, ZnSe) широкозонных полупроводников внутри валентной зоны узкозонного полупроводника.

Впервые обнаружено двухцветное излучение диодной гетероструктуры nGaP-n⁺(ZnSe)_1-x-y(Si₂)_x(GaP)_y (0 £х£ 0.03, 0 £y£ 0.09), обусловленное электронными переходами с участием молекулярных уровней  Si₂ (красного света) и GaP (желтого света) с энергетическими уровнями 1,63 эВ и 2,2 эВ, соответственно, расположенными в запрещенной зоне твердого раствора (ZnSe)_1-x-y(Si₂)_x(GaP)_y.

Впервые обнаружен тепловольтаический эффект в кремнии, полученном многократной переплавкой технического кремния в солнечной печи и варизонных твердых растворах Si_1-xGe_x, заключающийся в генерации тока и напряжения при однородном нагреве образца с омическими контактами.

Впервые обнаружен фототепловольтаический эффект в nSi-p(Si₂)_1-x-y(Ge₂)_x(GaAs)_y, pSi-n⁺(ZnSe)_1-x-y(Si₂)_x(GaP)_y гетероструктурах, заключающийся в генерации тока и напряжения при совместной фото и тепло генерации носителей тока под солнечными излечениями.

Впервые, на основании развитых представлений о возможности развития процессов самоорганизации дефектов в полупроводниках группы III-V, обнаружен тепловольтаический эффект в этих материалах.

Впервые обнаружено белое свечение в nSi-pC_алмаз, nSiC-pC_алмазгетероструктурах без люминофора.

Впервые, экологически чистым методом, в малой солнечной печи, восьмикратной переплавкой металлургического кремния с чистотой 96 атомных %, на открытом воздухе, получен поликристаллический кремний с чистотой 99,9 атомных %. В лаборатории подготовлены 8 докторов наук, из них 1 академик АН РУз, 3 лауреата государственной премии Республики Узбекистан, 27 кандидатов наук.

В лаборатории имеется полное технологическое оборудование для выращивания многокомпонентных твердых растворов и гомо- и гетероструктур на их основе, а также она оснащена соответствующим оборудованием для анализа и исследования электрофизических и оптических параметров полученных структур. Это дает возможность совершенствовать соответствующие технологические процессы и улучшать характеристики изготавливаемых структур. Исследования проводятся с использованием современного научного оборудования при участии высококвалифицированных специалистов.