А.С. Саидов, Ш.Н. Усмонов, М.У. Каланов, К.А. Амонов, ВЫРАЩИВАНИЕ ПЛЕНОК ТВЕРДОГО РАСТВОРА (Si2)1-x(ZnSe)x (0 ≤ х ≤ 0,01) И ИССЛЕДОВАНИЕ ИХ СТРУКТУРНЫХ И ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СВОЙСТВ

Методом жидкофазной эпитаксии из ограниченного объема оловянного раствора-расплава выращивались эпитакси-альные слои твердого раствора (Si2)1-x(ZnSe)x (0 ≤ х ≤ 0,01) n-типа проводимости на Si подложках. Исследованы структура эпитаксиальной пленки и спектральные зависимости фоточувствительности гетероструктур pSi–n(Si2)1-x(ZnSe)x (0 ≤ x ≤ 0,01). Показано, что эпитаксиальная пленка (Si2)0,09(ZnSe)0,01 имеет совершенную монокристаллическую структу-ру с ориентацией (111) с размером субкристаллитов 52 нм. Наблюдается сдвиг края фоточувствительности гетерострук-туры pSi–n(Si2)1-x(ZnSe)x (0 ≤ x ≤ 0,01) в коротковолновую сторону по сравнению с pSi–nSi структурами.