Область научных интересов: Физика полупровод-ников, физические процессы возникающие при воздей-ствии деформации, света и СВЧ полей на полупроводни-ковые структуры. В его работах теоретически обосновано возникновение аномально большой тензочувствительно-сти на краю фундаментального поглощения, теоретиче-ски объяснена аномально большая тензочувствительность тонких пленок (Bi2Te3 и Sb2 Te3). Применил метод фа-зовых портретов, широко используемых в теории колеба-ний для исследования гернерационно-рекомбинационных процессов в полупроводниковых структурах, показал, что фазовые портреты могут успеш-но применятся для определения механической усталости материалов. Теоретически показал, что поведение ВАХ p-n-переходов при воздействии света, деформации и СВЧ полей может интерпретироваться концепцией изменения квазиуровней Ферми электронов и дырок в полупровод-никовых структурах.

Публикации: А.Г. Гулямов является автором (и со-автором) более 50 публикаций, основная часть которых опубликована в международных научных журналах.