Обращение граждан
ФИЗИКО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ
НПО "ФИЗИКА-СОЛНЦЕ" АН РУз

Публикации

А.В. Каримов, Д.М. Ёдгорова, Б.М. Каманов, Ф.А. Гиясова, Исследование процесса стабилизации тока и напряжения с помощью кремниевого полевого транзистора, УзФЖ. 2012. Vol.14. №1. Р.Р.114-120.

Р. А. Муминов, Kim Sung Jin, С. А. Раджапов, Тошмуродов Ё.К, А. Абидов, У. С. Газиев // Регистратор низкофоновых ионизирующих излучений на базе Si(Li) p-i-n-детектора больших размеров // Прибор техника эксперимента- 2015 Москва, №5 стр. 143-144.

R.A.Muminov, S.A.Radzhapov, Yo.K.Toshmurodov //Silicon-Lithium Nuclear Radiation Detectorswith a Large Surface of Sensitive area // Uzbek journal of Physics2013 № 3-4 рр. 179-184.

СаймбетовА.К. ТошмуродовЁ.К // Особенности процессов диффузия и дрейфа ионов лития в монокристаллическом кремнии с различным содержанием кислорода // Новые технологии Украина-2012 № 1 (35) С. 31

Muminov R. A., Saymbetov A. K., Japashov N. M., Mansurova A. A., Radzhapov S. A., Toshmurodov Yo. K., Mukhametkali B. K., Sissenov N. K., and Kuttybay N. B. Double Sided Diffusion and Drift of Lithium Ions on Large Volume Silicon Detector Structure Jo

Муминов Р.А., Раджапов С.А., Тошмуродов Ё.К Влияние неоднородности кристаллической решетки на свойства детектора томографической системы на основе Si(Li) p-i-n структур больших размеров // Доклады Академии Наук Республика Узбекистан 2013 № 2, стр. 24-26.

R.A.Muminov, S.A.Radzhapov, Yo.K.ToshmurodovCoordinate-sensitive detectors of ionizing radiation on the basis of the Si (Li) p-i-n large-dimension structures «Computational nanotechnology» № 3. 2017 г. Стр. 29-32

Ё.К. Тошмуродов//Детекторы ядерного излучения на основегетеропереходных структур Al-αGe-pSi-Au // UzbekjournalofPhysics 2017 № 2. С.124-126.

Муминов Р.А., Раджапов С.А., Тошмуродов Ё.К Электрофизические характеристики разных типов кремниевых детекторов ядерного излучения с большой поверхностью чувствительной области // UzbekjournalofPhysics 201416 № 3. стр. 234-237.

Muminov R.A. Saymbetov A.R., ToshmurodovYo.K.Electrophysical characteristics of large-size αSi-Si(Li) detector heterostructures // Semiconductor physics, quantum electronics and optoelectronics. Ukraine-2012 V15№ 3рр. 285-287.




Контакты

Телефон: +99871 2331271

Факс: +998712354291

E-mail: ftikans@uzsci.net

Адрес: Узбекистан, 100084, г. Ташкент, ул. Бодомзор йули 2Б

Подписка

Введите свой E-mail адрес и получайте новые материалы, новости и полезные советы с нашего сайта сразу на свою почту: