Родился 21 августа 1952 году.
С 2011 года —Ведущий научный сотрудник

Область научных интересов:
Aкустооптическое взаимодействие в области экситонных резонансов, деформационно-оптические свойства сверхрешеток, деформационно-оптические свойства сверхрешеток,
поляритонные эффекты в объемных кристаллах и низкоразмерных структурах, процессы токопереноса в низкоразмерных структурах

Образование: 
1970-1975 – Ташкентский Государственный Университет, физический факультет

Достижение:
Защитил диссертацию на соискание ученой степени кандидат физико-математических наук по теме «Некоторые вопросы теории акустооптических явлений в области экситонных резонансов». Ташкент 1991 г.
Защитил диссертацию на соискание ученой степени доктора физико-математических наук по теме «Исследование оптико-деформационных свойств объемных и низкоразмерных структур в области экситонных и  межзонных резонансов». Ташкент 2010 г. 

1. Показано, что величина линейных и нелинейных вкладов экситонных резонансов в фотоупругость, а также резонансная диэлектрическая проницаемость существенным образом зависят от плотности максимальной упаковки экситонов. Таким образом раскрыт физический смысл больших величин экситонных вкладов в фотоупругость. Показано, что как для линейной, так и для нелинейной фотоупругости имеет значение спектральная характеристика перехода - дискретность экситонного уровня также стимулирует значительно большие вклады в фотоупругость относительно других резонансов.

2. Построена обобщенная методика нахождения резонансных диэлектрической проницаемости и коэффициента фотоупругости в  сверхрешетках с учетом ширины квантовой ямы и в сверхрешетках с наклонным дном квантовой ямы вблизи частот модифицированных экситонных резонансов. Оказалось, что наклон дна квантовой ямы может как увеличивать (варизонная квантовая яма), так и уменьшать (электрическая квантовой яма)  локализацию экситона в квантовой яме,  и поэтому соответственно увеличивать и уменьшать резонансные диэлектрические проницаемости и коэффициенты фотоупругости.
3. Выявлен эффект возникновения линейной фотоупругости в сверхрешетках с наклонным дном в пьезоэлектрических сверхрешетках.

4. Показано, что в объемном пьезоэлектрическом кристалле приложение сильного электрического поля вблизи основного экситонного резонанса приводит к возникновению линейного вклада в фотоупругость, по величине как меньшего (в кристаллах с сильной энергией связи экситона), так и большего (для экситона с малой энергией связи) по сравнению с вкладом от потенциала деформации. Этот эффект также может быть использован для создания среды с искусcтвенной фотоупругостью.

Публикации:
27 Республиканские, 14 международные, 1 патент.