Обращение граждан
ФИЗИКО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ
НПО "ФИЗИКА-СОЛНЦЕ" АН РУз

Публикации

Патенты

2017

1. Патент на изобретение № IAP 05431 Способ измерения температуры р-n-перехода и устройство для его осуществления. / Лутпуллаев С.Л., Каримов А.В., Ёдгорова Д.М., Абдулхаев О.А., Рахматов А.З., Каримов А.А. Бюл., №12 от 31.07.2017г.

2016.

2. Патент на изобретение № IAP 05322 “Усилитель напряжения с динамической нагрузкой” / Каримов А.В., Ёдгорова Д.М., Абдулхаев О.А., Каманов Б.М. Бюл., №12 от 20.12.2016г.

2015

3. Патент на изобретение РУз № IAP 05120 «Многофункциональный датчик на основе полевого транзистора» / Каримов А.В., Ёдгорова Д.М., Абдулхаев О.А., Джураев Д.Р., Тураев А.А. Бюл.,№11 от 30.11.2015.

2014

4. Патент на изобретение РУз № IAP 04854 от 21.02.2014. Бюлл. №3. 31.03.2014г. Модулятор оптических сигналов / Каримов А.В., Ёдгорова Д.М., Абдулхаев О.А., Каландаров Ж., Кахоров А.А.

2013

5. Патент РУз № IAP 04721 от 03.05.2013г. Бюлл. №6. 30.08.2013г. Полупроводниковый полевой диод. Рахматов А.З., Каримов А.В., Ёдгорова Д.М.

2012

6. Патент РУз № IAP 04599 от 04.10.2012г. Бюл. №11. 30.11.2012 г. Модуль защиты радиоэлектронной аппаратуры. Рахматов А.З., Каримов А.В., Ёдгорова Д.М., Абдулхаев О.А., Каландаров Ж.Ж., Каххоров А.А.

7. Патент РУз. № IAP 04571 от 22.08.2012г. Бюл., №9 28.09.2012г. Полупроводниковый блокирующий диод. Рахматов А.З., Каримов А.В., Ёдгорова Д.М., Абдулхаев О.А., Бузруков У.М., Каландаров Ж.Ж.

8. Патент на изобретение № IAP 04600 от 25.04.2012. Дистанционно-управляемый оптоэлекронный ключ / Каримов А.В., Ёдгорова Д.М., Гиясова Ф.А., Кахоров А.А. // Расмий ахборотнома. 30.11.2012. №11.

9. Патент на изобретение № IAP 04598 от 04.10.2012. Полупроводниковый детектор / Каримов А.В., Ёдгорова Д.М., Гиясова Ф.А., Абдулхаев О.А. Рахматов А.З. Джураев Д.Р. // Расмий ахборотнома. 30.11.2012. №11.

2009

10. Патент на изобретение № IAP 03955 от 12.05.2009. Регистрацияловчи элемент / Ёдгорова Д.М., Каримов А.В., Агзамова М.Х., Мирджалилова М.А., Зоирова Л.Х. Эргашев Ж.А. // Расмий ахборотнома. 30.06.2009. №6.

11. Патент на изобретение № IAP 04002 от 29.07.2009. Высокочастотный быстродействующий фотодетектор / Ёдгорова Д.М., Каримов А.В.,Саидова Р.А., Гиясова Ф.А., Мирджалилова М.А. // Расмий ахборотнома. 31.08.2009. №8.

12. Патент на изобретение № IAP 04023 от 21.08.2009. Полупроводниковый прибор с барьером металл-полупроводник. / Ёдгорова Д.М., Каримов А.В., Саидова Р.А., Гиясова Ф.А., Мирджалилова М.А. // Расмий ахборотнома. 30.09.2009. №9.

13. Патент на изобретение № IAP 03936 от 03.04.2009. Устройство для жидкостной эпитаксии кольцеобразных слоев на основе соединений А3В5/ Ёдгорова Д.М., Каримов А.В., Ашрапов Ф.М., Гиясова Ф.А., Хайдаров Ш.А., Нурмухамедов Б.З. // Расмий ахборотнома. 29.05.2009. №5.

14. Патент на изобретение № IAP 03930 от 03.04.2009. Устройство для получения диффузионных и эпитаксиальных слоев полупроводнковых соединений А3В5/ Ёдгорова Д.М., Каримов А.В., Бузруков У.М., Бахранов Х.Н., Юлдашев Ш.Ш. // Расмий ахборотнома. 29.05.2009. №5.

15. Патент на изобретение № IAP 03974 от 09.06.2009. Инжекционно-полевой фотодиод / Ёдгорова Д.М., Каримов А.В., Ашрапов Ф.М., Эргашев Ж.А., Якубов А.А. // Расмий ахборотнома. 31.07.2009. №7.

16. Патент на изобретение № IAP 04053 от 09.10.2009. Способ эпитаксиального наращивания полупроводниковых материалов путем смешивания растворов-расплавов / Каримов А.В., Ёдгорова Д.М., Бахранов Х.Н., Гиясова Ф.А., Саидова Р.А., Хайдаров Ш.А., // Расмий ахборотнома. 30.11.2009. №11.

17. Патент на изобретение № IAP 03832 от 21.11.2008. Фоточувствительный полевой транзистор / Ёдгорова Д.М., Каримов А.В., Юлдашев Ш.Ш., Мирджалилова М.А. // Расмий ахборотнома. 31.12.2008. №12.

Статьи

2017

18. A.V. Karimov, A.Z. Rakhmatov, S.P. Skorniakov, D.M. Yodgorova, A.A. Karimov, Sh.M. Kuliev. On mechanism of radiative sensitivity of power diode direct voltage drop // Radioelectronics and Communication Systems -New York, 2017, - Vol.60, - Issie 6, - pp 272–274.

19. D.M. Yodgorova. A double-transistor cell on the basis of field-effect transistors. International Journal of Engineering Inventions e-ISSN: 2278-7461, p-ISSN: 2319-6491 Volume 6, Issue 2 [Feb. 2017] PP: 33-36 (АРИПОВ)

20. D.M. Yodgorova. Features of the Current Regulation in Double-Transistor Circuit. Journal of Scientific and Engineering Research, 2017, 4(2):76-77. ГНТП ЁДГОРОВА

21. Ёдгорова Д.М. Физико-технологические аспекты изготовления пленочного тензорезистора. /УФЖ. 2017. Т.19. №1. С. 33-37. ГНТП ЁДГОРОВА

22. Karimov A.V., Djurayev D.R., Turaev A.A. Рhysical-technological aspects of a multifunctional sensor based on a field-effect transistor. World Journal of Engineering research and Technology. 2017, Vol. 3, Issue 2, 57 -63.

23. Karimov A.V., Djurayev D.R., Turaev A.A. Investigation temperature sensitivity of the field-effect transistor in channel cutoff mode. Journal of Scientific and Engineering Research. 2017, 4(2):1-4. (АРИПОВ)

2016

24. Каримов А.В., Джураев Д.Р., Кулиев Ш.М., Тураев А.А. Особенности температурной чувствительности транзисторной структуры в двухполюсном режиме. Инженерно-физический журнал 2016. Т.89, № 2, С.497-500.

25. A.V. Karimov, D.R. Dzhuraev, Sh.M. Kuliev, and A.A. Turaev. Distinctive features of the temperature sensitivity of a transistor structure in a bipolar mode of measurement. Journal of Engineering Physics and Thermophysics, Vol. 89, No. 2, March, 2016. P.514-517.

26. A.V. Karimov, D.R. Djuraev, O.A. Abdulhaev, A.Z. Rahmatov, D.M. Yodgorova, A.A. Turaev. Tenso properties of field-effect transistors in channel cutoff mode. International Journal of Engineering Inventions e-ISSN: 2278-7461, p-ISSN: 2319-6491 Volume 5, Issue 9 [Oct. 2016] PP: 42-44. www.ijeijournal.com

27. А.З. Рахматов, М.Ю. Ташметов, С.П. Скорняков, А.В. Каримов. Влияние нейтронного облучения на параметры кремниевых ограничителей напряжения и метод прогнозирования их радиационной стойкости. // Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика радиационных повреждений и радиационное материаловедение. 2016. -№3. -С. 10-19.

28. Каримов А.В., Джураев Д.Р., Ёдгорова Д.М., Тураев А.А., Абдулхаев О.А. Фотоэлектрические характеристики полевого транзистора в режиме отсечки. Бухоро давлат университети илмий ахбороти. 2016. №3. С.11-16.

2015

29. Каримов А.В., Ёдгорова Д.М., Каманов Б.М., Тураев А.А. Фотовольтаический эффект в диодном режиме включения полевого транзистора. Гелиотехника. Ташкент, 2015. №4. С.87-89.

30. Абдулхаев О.А., Ёдгорова Д.М., Каримов А.В., Кулиев Ш.М. Высокочувствительный фотоприемник на основе германиевой двухбарьерной структуры с эффектом смыкания. Технология и конструирование в электронной аппаратуре, ТКЭА, Одесса,. 2015. №4. С. 24-27.

31. Каримов А.В., Ёдгорова Д.М., Абдулхаев О.А. Физические явления в тонкобазовых транзисторных структурах. // Физическая инженерия поверхности. 2015. №3. С. 330-334.

32. Каримов А.В., Ёдгорова Д.М., Каманов Б.М., Джураев Д.Р., Тураев А.А. Особенности усилительных свойств полевого транзистора в схеме с динамической нагрузкой // Физическая инженерия поверхности. 2015. №1. С. 12-16.

33. Синица А.В., Глухов А.В., Скорняков С.П., Каримов А.В., Рахматов А.З. «Некоторые особенности конструирования мощных выпрямительно-ограничительных диодов для сетевых защитных устройств». Силовая электроника 2015. №3. С. 54-56.

34. Каримов А.В., Рахматов А.З., Сафаров Х.Э., Абдулхаев О.А., Каримов А.А. Исследование токовых характеристик и переходных процессов в кремниевых высокочастотных диодах. УФЖ. 2015. № 3. –С. 161-165.

35. Каримов А.В., Ёдгорова Д.М., Абдулхаев О.А., Кулиев Ш.М. Лавинный составной фототранзистор. ДАН. 2015. №5, С.11-15.

2014

36. Rakhmatov A. Z. Effect of Neutron Irradiation on the Structure of Silicon p–n Junctions of Voltage Limiters. // Semiconductors © Pleiades Publishing, Ltd., 2014 -Vol. 48, No 7 -Р.935-941.

37. Karimov A. V., Yodgorova D. M., Abdulkhaev O. A. Long Channel Field Effect Transistor with Short Channel Transistor Properties // Semiconductors-©Pleia-des Publishing, Ltd., 2014. –Vol. 48, –No. 4. –Р. 481-486. (№11. Springer, IF=0.705). Полевой транзистор с длинным каналом со свойствами коротко-канального транзистора

38. Каримов А.В., Каримов А.А., Рахматов А.З., Дадаматова К.Т. Моделирование тепловых процессов высокочастотного кремниевого p-i-n-диода // Физическая инженерия поверхности, Харьков. 2014. Т.12. № 1. –С.14-19.

39. Каримов А.В., Едгорова Д.М., Абдулхаев О.А., Каманова Г.О. Особенности токовых характеристик кремниевой двухбарьерной структуры. Петербургский журнал электроники. 2014, №1. С.18-22.

40. Каримов А.В., Ёдгорова Д.М., Абдулхаев О.А., Кулиев Ш.М. Электронный генератор на бистабильном транзисторном элементе. // Компоненты и технологии. -Санкт-Петербург, 2014. -№ 11. -С.18-20.

41. Каримов А.В., Ёдгорова Д.М., Абдулхаев О.А. Явление памяти в двухбарьерной -структуре. // Физическая инженерия поверхности, Харьков. 2014. Т.12. № 3. –С. 357-359.

42. А.В. Каримов, А.З. Рахматов, Д.М. Ёдгорова, О.А. Абдулхаев, А.А. Каримов. Диффузионно-дрейфовый механизм переходного процесса в p+р0-i-n+-структуре с градиентной концентрацией носителей в базе. УФЖ. 2014. №6. С.430-433.

2013

43. Rakhmatov A.Z., Abdulkhaev O.A., Karimov A.V., Yodgorova D.M. Features of the Performance of a Transient Voltage Suppressor in the Pulsed Mode // Semiconductors © Pleiades Publishing, Ltd., 2013 -Vol. 47, No 3 -Р.387-391. Особенности работы ограничителя напряжения в импульсном режиме. Физика и техника полу-проводников, Санкт-Петербург, 2013. Т.47. Вып. 3. С. 364-368.

44. Karimov A.V., Yodgorova D.M., Abdulhaev O.A., Kamanov B.M., Turaev A.A. Features of the temperature properties of a field-effect transistor in a current-limiting mode. Journal of Engineering Physics and Thermophysics. Springer. 2013, Vol. 86, No. 1, pp. 248-254. Каримов 45. А.В., Каманов Б.М., Тураев А.А. Особенности температурных свойств полевого транзистора в режиме ограничения токов. Инженерно-физический журнал 2013. Т.86, № 1, С.232-237.

46. Рахматов А.З. Влияние нейтронного облучения на процессы модуляции базовой области кремниевой p+nn+-структуры // Физическая Инженерия Поверхности – Харьков, 2013 – Том 11, № 1 -С. 4-7.

47. Рахматов А.З., Каримов А.В., Сандлер Л.С., Ёдгорова Д.М., Скорняков С.П. Влияние гамма- и электронного облучения на ключевые параметры мощных высокочастотных диффузионных диодов // Компоненты и технологии -Санкт-Петербург, 2013. -№ 10 -С.140-142.

48. А.В.Каримов, Д.М. Ёдгорова, Ф.А.Гиясова, М.А.Мирджалилова, Г.О. Асанова, О.А. Абдулхаев, Ж.Ф. Мухутдинов. Исследование процесса формирования токовых характеристик кремниевого фотодиода с выпрямляющими барьерами. ТКЭА. 2013. №1.С. 9-12.

49. A.V. Karimov, D.M. Edgorova, and G.O. Kamanova. Photovoltaic Silicon Structures with Two Schottky Barriers. Applied Solar Energy, 2013, Vol. 49, No. 2, pp. 67–69. © Allerton Press

50. O.A. Abdulkhaev, D.M. Yodgorova, A.V. Karimov, A.А. Karimov, A.A. Kahorov, and J.J. Kalandarov. A Compensation Method for Measuring the Junction Temperature of a p+–p–n+ Silicon Structure. Instruments and experimental techniques. Vol. 56. No. 3 2013. Р.335-338. Компенсационная методика измерения температуры перехода кремниевой p+–p–n+_структуры. Приборы и техника эксперимента. 2013. № 3. С. 1-4.

51. Д.М. Ёдгорова, А.В. Каримов, А.А. Каримов. Исследование процессов модуляции базовой области кремниевой p+р-n+-структуры. Физическая инженерия поверхности. 2013, т. 11, № 2, С. 199-203.

52. С.Л.Лутпуллаев, А.В.Каримов, А.З.Рахматов, Д.М.Ёдгорова, А.А.Каримов. Методические аспекты прогнозирования надежности силовых диодов. Доклады Академии наук РУз. 2013. №6. С.19-21.

2012

53. Каримов А.В., Ёдгорова Д.М., Рахматов А.З., Скорняков С.Л., Петров Д.А., Абдулхаев О.А. Исследование импульсных характеристик ограничителей напряжения // Технология и конструирование в электронной аппаратуре - Одесса, 2012 - № 3 - С.26-31.

54. Рахматов А.З., Каримов А.В., Ёдгорова Д.М., Абдулхаев О.А. Исследование влияния нейтронного облучения на характеристические параметры кремниевых ограничителей напряжения // Компоненты и технологии - Санкт-Петербург, 2012 - № 5 - С.52-54.

55. Рахматов А.З., Абдулхаев О.А., Каримов А.В., Ёдгорова Д.М., Скорняков С.П. Приборные характеристики силовых диодов на основе кремниевых p+-n+, p+-n-n+ и p+-р-n-n+ структур // Компоненты и технологии, -Санкт-Петербург, 2012. -№ 4. -С.38-41.

56. Rakhmatov A.Z., Abdulkhaev O. A., Karimov A.V., Yodgorova D.M. Thermal model of the limiter diode // Journal of Engineering Physics and Thermophysics, 2012 Springer Science+Business Media Inc, Vol. 85 -No. 4 –Р. 836-844.

57. Rakhmatov A. Z., Karimov A.V., Yodgorova D.M., Abdulkhaev O.A. Features of producing an ohmic contact to frontal surfaces of photoconversion structures // Applied Solar Energy. Allerton Press, Inc. 2012, -Vol. 48. -No. 2. -pp. 92-93.

58. Rakhmatov A. Z., Petrov D.A., Karimov A.V., Yodgorova D.M., Abdulkhaev O.A. Influence of neutron radiation on breakdown voltage of silicon voltage limiter // Radioelectronics and Communication Systems -New York, 2012, -Vol.55, -Issie 7, -pp.332-334.

59. Рахматов А.З., Каримов А.В. Анализ переходных процессов в радиационно-облученных кремниевых p+nn+структурах // Физическая Инженерия Поверхности – Харьков, 2012 - Том. 10. -№4 -С. 308-312.

60. Рахматов А.З. Влияние нейтронного излучения на емкостные характеристики кремниевого ограничительного диода // Петербургский журнал электроники –Санкт-Петербург, 2012 - № 4. - С. 53-55.

61. Rakhmatov A.Z., Tashmetov M.Yu., Sandler L.S. Neutron irradiation influence on the silicon voltage limiter parameters // Вопросы Атомной Науки и техники - Киев, 2012. - №5(81) - С. 81-87.

62. Каримов А.В., Ёдгорова Д.М., Абдулхаев О.А., Якубов Э.Н., Юлдашев Ш.Ш, Тураев А.А. Исследование эффекта насыщения тока стока полевого транзистора с последовательно соединенными каналами // Физическая инженерия поверхности. -Харьков, 2012. –Т.10, –№ 4. –С.308-313. (01.00 00, №46)

63. А.В. Каримов, Д.М. Ёдгорова, Б.М. Каманов, Ф.А. Гиясова, А.А. Якубов. Исследование процесса стабилизации тока и напряжения с помощью кремниевого полевого транзистора. УФЖ. 2012. № 1. С.37-45

64. Абдулхаев О.А., Гиясова Ф.А., Ёдгорова Д.М., Каманов Б.М., Каримов А.В. Функциональные характеристики полевого транзистора с управляющим р-n-переходом при различных режимах включения. ФИП. 2012. №2.С. 230-235.

65. Каримов А.В., Каманов Б.М., Ёдгорова Д.М., Гиясова Ф.А., Абдулхаев О.А. Фототранзистор составной на полевых транзисторах. ФИП. 2012. №2. С. 226-229.

66. O.A. Abdulkhaev, G.O. Asanova, D.M. Yodgorova, and A.V. Karimov. Investigation of the photoelectric characteristics of photodiode structures with silicon-based potential barriers. Journal of Engineering Physics and Thermophysics, Vol. 85, No. 3, May, 2012. Р.709-715.

67. Абдулхаев О.А., Ёдгорова Д.М., Каримов А.В., Каримов А.А., Асанова Г.О. Исследование процессов теплопереноса под воздействием импульсной мощности. Инженерно-физический журнал. Минск. 2012. Т.85. № 4. С.781-785.

68. Абдулхаев О.А., Гиясова Ф.А., Ёдгорова Д.М., Каманов Б.М., Каримов А.В. Функциональные характеристики полевого транзистора с управляющим р-n-переходом при различных режимах включения. Физическая инженерия поверхности. Харьков. 2012. Т.10. № 2. С. 230-235.

69. Абдулхаев О.А., Ёдгорова Д.М., Каримов А.В., Каманов Б.М., Уразметова К.Г. Новый подход к определению термочувствительности датчика температуры на полевом транзисторе. ДАН. 2012. №4. С. 32-34.

70. Лутпуллаев С.Л., Рахматов А.З., Ёдгорова Д.М., Каримов А.В., Каримов А.А. Методические аспекты прогнозировапния надежности силовых диодов. ДАН. 2012. №6. С. 19-21.

71. О.А. Абдулхаев, Г.О. Асанова, Д.Р. Джураев, Д.М. Ёдгорова, А.В. Каримов. Исследование модулей передачи и приема открытой оптической системы связи. УзФЖ. 2012. Vol.14. №2. PP.114-120.

72. О.А. Abdulkhaev, D.M. Yodgorova, А.V. Karimov, А.А. Karimov., G.О. Asanova. Investigation of the heat transfer processes under the action of pulse power. Journal of Engineering Physics and Thermophysics. V. 85. No.4. 2012, pp.851-855.

2011

73. A.V.Karimov, D.M. Yodgorova, O.A.Abdulkhaev. Physical principles of photocurrent generation in multi-barrier punch-through-structures 2011. Chapter 2 on the book «Photodiodes – World Activi-ties in 2011» edited by Jeong-Woo Park, Rijeka, Croatia: Intech. 2011. pp. 23-36. ISBN: 978-953-307-530-3

74. Karimov A.V., Yodgorova D.M., Rakhmatov A.Z., Abdulkhaev O.A. Methods to Decrease Losses of Energy Generated by Solar Electrical Modules // Applied Solar Energy. Allerton Press, Inc. 2011, -Vol. 47. -No. 3. -pp. 166-168.

75. Рахматов А.З., Ташметов М.Ю., Сандлер Л.С. Влияние проникающей радиации на параметры кремниевого планарного высокочастотного высоковольтного выпрямительного диода // Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика радиационных повреждений и радиационное материаловедение (98) -Киев, 2011. -№4. -С. 26-33.

76. Рахматов А.З., Каримов А.В., Скорняков С.П., Ёдгорова Д.М., Абдулхаев О.А. Малогабаритные бескорпусные ограничители напряжения // Компоненты и технологии - Санкт-Петербург, – 2011. – №9. – С. 54-55.

77. Рахматов А.З., Абдулхаев О.А., Каримов А.В., Кахоров А.А., Каландаров Ж.Ж., Скорняков С.П. Определение эффективности ограничения напряжения диодных структур // Компоненты и технологии - Санкт-Петербург, – 2011. – № 4 – С. 46-48.

78. Рахматов А.З., Ишенко О.П., Каримов А.В. Полупроводниковые ограничители напряжения на основе кремниевых структур в электронных схемах // Узбекский физический журнал –Ташкент, 2011.- № 6- С. 421-429.

79. Каримов А.В., Джураев Д.Р., Ёдгорова Д.М., Рахматов А.З., Абдулхаев О.А, Каманов Б.М., Тураев А.А. Некоторые особенности ограничителя тока на полевом транзисторе // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. –Одесса, 2011. –№ 1-2. – С.25-27. (01.00 00, №46)

80. Karimov A.V., Yodgorova D.M., Abdulkhaev O.A. Сontrol of the profile of the impurity distribution in epitaxial layers grown from a solution-melt with regulated volume and composition // Journal of Engineering Physics and Thermophysics. New York, 2011. –Vol. 84, –No. 4. –Р. 860-863.(01.00 00, №7)

81 .А. Абдулхаев, Г.О. Асанова, Д.М. Ёдгорова, Э.Н. Якубов, А.В. Каримов. Исследование влияния потенциальных барьеров на механизмы токопереноса во встречновключенных двухбарьерных кремниевых структур. Физическая инженерия поверхности. -Харьков,2011. № 3.С. 262-268.

82. О.А. Абдулхаев., Д. М. Ёдгорова, А.А. Каримов, А.А. Кахоров, Д.Р. Джураев, Ж.Ж Каландаров. Особенности универсального датчика оптического переключателя на основе открытой системы излучатель-приемник. Доклады Академии наук РУз. Ташкент, 2011. № 3. c. 35-39.

83. О.А. Абдулхаев, Асанова Г.О., Ёдгорова Д.М., Каримов А.В.. Каримов А.А. Исследование переходных процессов в кремниевой ppn-структуре. Физическая инженерия поверхности PSE, Харьков, 2011, т. 9, № 2, vol. 9, No. 2, , С.188-193.

84. Каримов А.В., Ёдгорова Д.М., Абдулхаев О.А., Каримов А.А. Асанова Г.О. Исследование допустимой импульсной мощности кремниевой ppn-структуры. Технология и конструирование в электронной аппаратуре, Одесса, 2011. № 6. С. 43-45.

85. Karimov A.V., Yodgorova D.M., Nazarov J.T. The microduty bipolar phototransistor on the base of gallium arsenic n-p-m-structure. Physics Express. Simplex Academic Publishers. 2011, Vol. 1, No. 3, pp. 191-198.

2010

86. Рахматов А.З., Скорняков С.Л., Каримов А.В., Ёдгорова Д.М., Абдулхаев О.А., Бузруков У.М. Физико-технологические аспекты создания низковольтных ограничителей напряжения на основе кремния // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. – Одесса, 2010. – № 5-6. – С. 30-35.

87. Каримов А.В., Рахматов А.З., Кахоров А.А., Каландаров Ж.Ж. Анализ работы ограничителей напряжения для защиты радиоэлектронной аппаратуры // Доклады Академии наук РУз. – Ташкент, 2010. – № 3. – С. 19-21.

88. Karimov A.V., Yodgorova D.M. Some Features of Photocurrent Generation in Single and Multibarrier Photodiode Structures // Semiconductors©Pleiades Publishing, Ltd., 2010. –Vol. 44. –No.5. –Р.647-652.(№11.Springer, IF=0.705).

89. Ёдгорова Д.М. Эффект усиления фототока в фотодиодной структуре с прямо- и обратновключенными переходами // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. –Одесса, 2010. №1. –С. 3-5. (01.00 00, №46)

90. Каримов А.В., Ёдгорова Д.М., Абдулхаев О.А., Бахранов Х.Н. Фотопреобразователи с селективной чувствительностью. Узбекский физический журнал. Ташкент. 2010, №3, с.161-164

91. Ёдгорова Д.М., Каримов А.В., Абдулхаев О.А., Назаров Ж.Т. Фоточувствительность nGaAs-рGaAs-Ag-структуры. Доклады Академии наук РУз. Ташкент, 2010. № 3. c. 34-36.




Контакты

Телефон: +99871 2331271

Факс: +998712354291

E-mail: ftikans@uzsci.net

Адрес: Узбекистан, 100084, г. Ташкент, ул. Бодомзор йули 2Б

Подписка

Введите свой E-mail адрес и получайте новые материалы, новости и полезные советы с нашего сайта сразу на свою почту: