R.A.Muminov, S.A.Radzhapov, Yo.K.Toshmurodov //Silicon-Lithium Nuclear Radiation Detectorswith a Large Surface of Sensitive area // Uzbek journal of Physics2013 № 3-4 рр. 179-184.
Р. А. Муминов, Kim Sung Jin, С. А. Раджапов, Тошмуродов Ё.К, А. Абидов, У. С. Газиев // Регистратор низкофоновых ионизирующих излучений на базе Si(Li) p-i-n-детектора больших размеров // Прибор техника эксперимента- 2015 Москва, №5 стр. 143-144.
Muminov R.A. Saymbetov A.R., ToshmurodovYo.K.Special Freatures of Formation of High-Performance Semiconductor Detectors Based on αSi-Si(Li) Heterostructures // Instruments and Experimental Techniques - New York2013 № 1. pp. 32-33.
R. A. Muminov, S. A. Radzhapov, Yo. K. Toshmuradov Sh. Risalieva, S. Bekbaev, A. Kurmantaev Development and Optimization of the Production Technology of Large_SizePosition_Sensitive Detectors // Instruments And Experimental Techniques - New York 2014 V
С.А. Раджапов, Ё.К. Тошмуродов, Б.С. Раджапов, Ш. Рисалиева Координатно-чувствительные детекторы ядерного излучения с термоохлаждающим устройством // Uzbek journal of Physics 2016 том 18№ 6 стр. 403-406.
Muminov R.A. Saymbetov A.R., ToshmurodovYo.K.Electrophysical characteristics of large-size αSi-Si(Li) detector heterostructures // Semiconductor physics, quantum electronics and optoelectronics. Ukraine-2012 V15№ 3рр. 285-287.
Муминов Р.А., Раджапов С.А., Тошмуродов Ё.К Электрофизические характеристики разных типов кремниевых детекторов ядерного излучения с большой поверхностью чувствительной области // UzbekjournalofPhysics 201416 № 3. стр. 234-237.
Ё.К. Тошмуродов//Детекторы ядерного излучения на основегетеропереходных структур Al-αGe-pSi-Au // UzbekjournalofPhysics 2017 № 2. С.124-126.
R.A.Muminov, S.A.Radzhapov, Yo.K.ToshmurodovCoordinate-sensitive detectors of ionizing radiation on the basis of the Si (Li) p-i-n large-dimension structures «Computational nanotechnology» № 3. 2017 г. Стр. 29-32
Муминов Р.А., Раджапов С.А., Тошмуродов Ё.К Влияние неоднородности кристаллической решетки на свойства детектора томографической системы на основе Si(Li) p-i-n структур больших размеров // Доклады Академии Наук Республика Узбекистан 2013 № 2, стр. 24-26.
Telefon: +99871 235 93 61
Faks: +99871 235 42 91
E-mail: ftikans@uzsci.net
Manzil: O'zbekiston, 100084, Toshkent sh., Chingiz Aytmatov ko'chasi, 2B uy