Обращение граждан
ФИЗИКО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ
НПО "ФИЗИКА-СОЛНЦЕ" АН РУз

A. Yu. Leiderman, A. S. Saidov, M. M. Khashaev, and U. Kh. Rakhmonov, Study of GaSb Doped with Te as a Material for Photovoltaic Systems

The article reports the results of study of nGaSb〈Te〉 specimens with plain ohmic contacts and demonstrates that at T > 50°C the studied structure generates current (up to 0.4 nA at T = 200°C) and voltage (up to 0.4 mV at T = 210°C). These phenomena are attributed to thermally stimulated decomposition of “shallow donor + vacancy” complexes with subsequent formation of periodic distribution of concentration
of vacancies and shallow donors over the specimen length.



Контакты

Телефон: +99871 2359361

Факс: +998712354291

E-mail: ftikans@uzsci.net

Адрес: Узбекистан, 100084, г. Ташкент, ул. Чингиз Айтматов 2Б

Подписка

Введите свой E-mail адрес и получайте новые материалы, новости и полезные советы с нашего сайта сразу на свою почту: