Обращение граждан
ФИЗИКО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ
НПО "ФИЗИКА-СОЛНЦЕ" АН РУз

Sh. N. Usmonov, Influence of GaAs Molecules on the Photosensitivity of pSi–n(GaSb)1 – x(Si2)x and nGaAs–p(InSb)1 – x(Sn2)x Heterostructures

The spectral dependences of heterostructures pSi–n(GaSb)1 – x(Si2)x (0 ≤ х ≤ 0.07) and nGaAs–p(InSb)1 – x(Sn2)x (0 ≤ х ≤ 0.05) alloyed by GaAs molecules are studied. The ionization energy of GaAs molecules in the studied structures is assessed and its dependence on the width of the band gap and parameter of the lattice of the basic semiconductor are found.



Контакты

Телефон: +99871 2359361

Факс: +998712354291

E-mail: ftikans@uzsci.net

Адрес: Узбекистан, 100084, г. Ташкент, ул. Чингиз Айтматов 2Б

Подписка

Введите свой E-mail адрес и получайте новые материалы, новости и полезные советы с нашего сайта сразу на свою почту: