Обращение граждан
ФИЗИКО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ
НПО "ФИЗИКА-СОЛНЦЕ" АН РУз

A.V. Karimov, D.M. Yodgorova, O.A. Abdulkhaev, J.T. Nazarov. The microduty bipolar phototransistor on the base of gallium arsenic n-p-m-structure. Accepted 27 Oct 2010; Available Online 21 Jan 2011.

In the present paper, the results of the research on light characteristics of gallium arsenic two-barrier n-pm-structure - analogue of bipolar phototransistor are presented. Experimentally, it is shown that photoelectric characteristics vary depending on switching on conditions of nGaAs-pGaAs-Ag structure. The researched structures differ with functionability in photodiode and phototransistor modes as microduty devices.



Контакты

Телефон: +99871 2359361

Факс: +998712354291

E-mail: ftikans@uzsci.net

Адрес: Узбекистан, 100084, г. Ташкент, ул. Чингиз Айтматов 2Б

Подписка

Введите свой E-mail адрес и получайте новые материалы, новости и полезные советы с нашего сайта сразу на свою почту: