«ELECTRONIKA VA FOTONIKA SOHASIDAGI ASBOBSOZLIK» LABORATORIYASI

Laboratoriya mudiri – Karimov Abdulaziz Vaxitovich – fizika-matematika fanlar doktori, professor.

Laboratoriya 2018 yilda O'zbekiston Fanlar akademiyasining Fizika-texnika institutida tashkil etilgan.

Laboratoriyada o'z ilmiy-texnik loyihalari bilan quyidagi mustaqil guruhlar faoliyat ko'rsatmoqda:

                               I.            Birinchi guruh – Karimov A.V.

                               II.           Ikkinchi guruh – Yodgorova D.M.

                               III.          Uchinchi guruh – Giyasova F.A.

                               IV.         To’rtinchi guruh – Abdulxaev О.А.

                               V.          Beshinchi guruh – Kabulov R.R.

Laboratoriya tarkibida faoliyat ko'rsatmoqda: ikkita professor, bitta fan doktori, bitta fan nomzodi, ikkita PhD, ikkita tayanch doktorant shuningdek, ilmiy xodimlar (3) va muhandislik kadrlari (2) - jami 13 nafar xodim.

2006 – 2016 yillar mobaynida "Sanoat, tibbiyot, informatika, kommunikatsiyalar va boshqalar uchun yarimo'tkazgichli qurilmalar va optoelektron vositalarni ishlab chiqish va yaratish" yo'nalishida eng muhim natijalar quyidagilar:

      Gallium arsenidi birikmalarining suyuq-fazali epitaksial qatlamlarini olish texnologiyasi ishlab chiqildi, suyuq epitaksiyalar uchun nozik plenkalar tekstura qilingan yuzasi va mikrorelief qatlami bilan o'sishini ta'minlaydigan usullar va qurilmalar ishlab chiqildi. Xususan, radiatsiyaviy qarshiligini oshirish va quyosh nurlanishining ko'pligini bartaraf etish, shuningdek, kvant rentabelligini tekis yuzaga ega bo'lgan strukturalarga qaraganda yarmiga ko'paytirish imkoniyati quyosh xujayralarini yaxshi xususiyatlarga ega bo'lish uchun tavsiya etilgan usullardan foydalanish imkoniyati berilgan.

      Eritmalar qatlamlarini konsentratsiyalash orqali epitaksial qatlamlarni olish uchun usul ishlab chiqildi - eritmani qopqoqli teshik orqali eritib, yarimo'tkazgich konstruksiyalarining qalinligi bo'ylab chuqurlikdagi elektr maydonlari bilan taqqoslashni taqsimlashni ta'minlaydi, bu zulmatli oqimlarni kamaytiradi va diod va tranzistorli tuzilmalarning fotosezgirligini oshiradi aralashmalarning gradient taqsimlanishini olish uchun ma'lum usullar bilan solishtirganda, bir yoki bir necha marotaba farq qiladi.

      Asosiy fototokni ichki fotoelektrik kuchaytirgichga ega bo'lgan ko'p to'siqli fotosezgir tuzilmalarning yangi klassi taklif etildi 0,7-1,6 mm gacha keng optik oraliqda, ko'chki fotodiodlari o'rniga kam sig’imli va kichik teskari toklari bilan boshlanadi. Ushbu yarimo’tkazgichlarning o'ziga xos xususiyati - spektrning infraqizil hududida xona haroratida ishlashi va zaif optik signallarni qabul qilish imkoniyati bo'lib, bu ular optik tolali va telekommunikatsiya tizimlarida optik signallarni qabul qilish va aniqlash uchun ulardan foydalanish istiqbollarini beradi.

      Kanal qalinligi mobaynida nopoklik tarqalish gradiyenti va harakatlanish darajasini hisobga olgan holda uzoq kanalli FETning oqim kuchlanish xususiyatlarini hisoblash va tahlil qilish, yangi usullar va uning funksiyalarining xususiyatlari aniqlandi, bu esa ushbu rejimlarda qisqa kanalli transistorlarning xususiyatlarini qo'lga kiritishni o'z ichiga oladi. Shu bilan birga, kanaldagi texnologik jihatdan belgilab qo'yilgan energiya gradiyentni funktsional xususiyatlarini qisqartirmasdan, energiyani kam sarflaydigan iqtisodiy rejimda ishlashini ta'minlaydi.

      Dala effektining tranzistorni o'lchash parametrini tanlashda, xususan, kanalni kesish kuchlanishini tanlashda yangi yondashuv, asosan, tashqi qurilma tomonidan qayta ishlanishi bilan masofadan simsiz signal uzatish orqali qon bosimi, tana harorati va turli xil narsalar kabi foydali signallarni kuzatish uchun ko'p funktsiyali sensorlarni yaratishga imkon beradi. (masofali telemetriya).

      Birinchi marta, past kuchlanishli kuchlanish cheklovchilarini yuqori zichlikdagi arsenid manbaidan ampulali diffuziya bilan ta'minlash uchun texnologiya ishlab chiqildi, bu esa arralashtiruvchi kuchlanishning kamligi va past differentsial qarshilikni ta'minlaydi, bu esa tashqi analoglar bilan solishtirilganda quvvatni 20 % oshirishga imkon berdi.

      Quyosh modullarining tasodifiy noto'g'ri ishlashiga yo'l qo'ymaslik uchun mo'ljallangan, kuchli rektifikator-cheklovchi diodalarini ishlab chiqarishning texnologik va konstruktiv jihatlari, shuningdek, masofadan boshqariladigan optik kalitlarning tejamkor elektron konstruktsiyalari, optik signallarning modulyatori O'zbekiston Respublikasi ixtirolari patentlari bilan muhofaza qilinadigan elektron uskunalar (kompyuter, televizor va boshqalar) (I-son, 04059. 2009 yil, № IAP 03974. 2009 yil, № IAP 04002. 2009 yil, № IAP 03955., № IAP 04023. 2010 y., № IAP 04244. 2010 y.).

Ko'zga ko'rinadigan va yaqin infraqizil, koordinataga sezgir fotodetektorlar va yuqori nurlanish darajasida, agressiv gaz muhitida va yuqori haroratda ishlay oladigan bipolyar fototransistorlarda selektiv, ultrabinafsha, keng tarmoqli yaratish uchun jismoniy va texnologik asoslar ishlab chiqilgan. Termostatli fotodetektorlar sanoat qozonlarida uzoqdan gazni yutish uchun asbob bilan birgalikda davlat tomonidan sinovdan o'tkazildi va keng qo'llanilishi tavsiya etildi.

"Ishlab chiqarishda qattiq qotishmalar elementlarining tarkibiy qismini tezkor baholash uchun mobil spektr analizatorini ishlab chiqish" loyihasi (A3-FA-0-11242) metall qotishmalarining kimyoviy tarkibini tahlil qilish uchun spektr analizatori bo'lgan ko'rinadigan yorug'lik hududida ishlab chiqilgan keng polosali enjektorli fotodetektorlar asosida.

2015-2020 yillarda ultrabinafsha emissiya spektrining tor mintaqasida sezgirlikni kuchaytiradigan selektiv fotodiodlar asosida. "Gaz yondirgichi qozonlarda olovni yonish nazorat qilish tizimini ishlab chiqish" loyihasi yakunlandi. "Gazavtomatika" MChJ bilan birgalikda gaz yondirgich qozonlar uchun yonish alovini nazorat qilish tizimi ishlab chiqildi.

Xona yoritgichi va bevosita quyosh nurlari sharoitida maishiy texnika uchun nozik materiallari asosida arzon foto elementlarni yaratish sohasida tadqiqotlar olib borilmoqda. O'tkazilgan tadqiqotlar asosida amorf vodorodlangan kremniy va unga asoslangan qotishmalar asosida homo-, hetero- va varizonli fotopreobrazovatel ishlab chiqildi.

Hozirgi kunda Respublika ixtisoslashtirilgan xirurgiya markazining mutaxassislari bilan birgalikda radiatsiyaviy spektrning yashil mintaqasida ichki nurlantiruvchanlikni kuchaytiruvchi in'ektsion fotodiodlardan foydalanish bo'yicha tadqiqotlar olib borilmoqda. Kelgusida "fotoelektrik koloriya o'lchagich" qurilmasi ishlab chiqarishning ilmiy, texnik va texnologik natijalari O'zbekiston Respublikasi Sog'liqni saqlash vazirligining muassasalari ehtiyojlari uchun tibbiy diagnostika vositalarining yangi turlarini ishlab chiqishda qo'llaniladi.

ILMIY-TEXNIK LOYIHALAR

UzFA FPFI mavzusi bo'yicha: Noyob er elementlarining tarkibiy qismlarida eritmalarni aniqlashda sezuvchanligini va aniqligini oshirishning fizik tamoyillarini o'rganish. (2018-2019 yillardagi fizik asoslarini o'rganish va tahlil qilish uchun noyob elementarlarini aniqlash va sezgirligini aniqlash). Loyiha mudiri, professor, bosh ilmiy xodim Karimov A.V.

DITD "Elektrotexnikaviy asboblarni himoyalovchi electron bloklari uchun korpussiz to’g’rilovchi-cheklovchi diodlarni ishlab chiqish" (2018-2020). Loyiha mudiri professor Karimov A.V.

Yoshlar loyihasi "Photometrik shar asosida sust yutilish chiziqlarini qayd qilishningyangi usulini ishlab chiqish" (2018-2019), falsafa fanlari doktori, katta ilmiy xodim Abdulxayev O.A.

DITD loyihasi "Og’irlikni o’lchovchi qurilmalar uchunyarim-o’tkazgichli tenzodatchiklar ishlab chiqish" (2017-2018). Loyiha mudiri, professor, katta ilmiy xodim Yodgorova D.M.

DITD loyihasi "Optik-tolali tizimlarni diagnostika qilish uchun nazorat-tekshirish uskunasini yaratish" (2017-2018). Fizika-matematika fan nomzodi, katta ilmiy xodim

Giyasova F.A.

DITD loyihasi "A²B⁶ yarim o'tkazgich birikmalari asosida fotosensorlar yordamida qon plazmasining optik zichligini tahlil qilish uchun fotoelektrik koloriya o’lchagich qurilma ishlab chiqish" (2018-2020). Kobulov R.R.

Laboratoriya xodimlari ishlab chiqarish korxonalari bilan yaqin aloqada. Xususan, "FOTON" aktsiyadorlik jamiyati (Toshkent) va OAJ "ЕKB bilan Novosibirsk zavodi yarimo'tkazgich qurilmalari" Rossiya. "Mikroelektronika va fotonika tizimlari uchun ko'p funktsiyali yarimo'tkazgichli qurilmalar va qurilmalarni ishlab chiqish va tadqiq etish" mavzusida qo'shma tadqiqotlar o'tkaziladi.

Kelgusida zamonaviy talab va talabni inobatga olgan holda, mikro va optoelektronika sohasida ishlarni kengaytirish rejalashtirilgan.

Xususan, avtomatlashtirilgan axborotni olish uchun mo'ljallangan juda yupqa plenkalar ko'p funksiyali sensorlarni yaratish yo'llarini izlashga o'tish rejalashtirilmoqda.

Energiya tejamkor mikro energetik sezgichlarning yangi turlarini ishlab chiqadigan keng dinamik intervalda harorat va optik nurlanishni qayd etish uchun yangi energiya tejovchi jismoniy printsiplarni kashf etish va ushbu tadqiqotlar natijalarini davom ettirishda simsiz issiqlik monitoringi va optik emissiya qurilmalari ishlab chiqiladi.

Quyosh elementlari va nurga sezgir strukturalar uchun tuzilmalarni olish texnologiyasi sohasida xorijiy substratlarda yagona kristalli yarimo'tkazgichli materiallar tabiiy raqobatbardoshligini oshirish texnologiyasini ishlab chiqish va suyuqlik fazasidan lateral epitaktsion texnologiyasini ishlab chiqish, bu texnologiya yordamida quyosh elementlari va fotodetektorlar narxini kamaytirish imkonini beradi.

"FOTON" OAJ tomonidan ishlab chiqarilgan kremniyli diod va tranzistor inshootlarning parametrlarini nazorat qilish va tuzatish uchun yarimo'tkazgichli qurilmalarni qayta ishlashning yangi usullarini ishlab chiqish.

F.-m.f.d professor A.V. Karimov rahbarligida ilmiy tadqiqot natijalari 400 ta maqolaning asosini tashkil etdi, ulardan 250 tasi chet elda chop etilgan va 10 ta nomzodlik dissertatsiyalari himoya qilindi (Bahronov Sh.N., Yodgorova D.M., Agzamova M.X., Yakubov E.N., Ashrapov F.M., Giyasova F.A., Zoirova L.H., Nazarov J.T., Abdulkhaev O.A., Karimov A.A.) va 2 ta doktorlik dissertatsiyalari (Raxmatov A.Z., Yodgorova D.M.).

PATENTLAR

2. IAP 05322 «Dinamik yuklanish kuchlanish kuchaytirgichi» / Karimov A.V., Yodgorova D.M., Abdulkayev O.A., Kamanov B.M. 20/2016 yil 12-son.
3. O'zbekiston Respublikasi Patent raqami 05120 IAP. Dala tranzistoriga asoslangan ko'p funksiyali sensorlar / Karimov A.V., Yedgorova D.M., Abdulxayev O.A., Jo'rayev D.R., Turayev A.A. / / Rasmiy xabarnoma. - 2015. - № 11.
4. O'zbekiston Respublikasi Patent idorasi IAP 04721. Yarimo’tkazgichli dala diodi / Karimov A.V., Yodgorova D.M., Raxmatov A.Z. / / Rasmiy xabarnoma. - 2013 yil. - 6-son.
5. O'zbekiston patent. IAP 04571. Yarimo’tkazgichli to'siq diodi. Rahmatov A.Z., Karimov A.V., Yodgorova D.M., Abdulkhaev O.A., Buzrukov U.M., Kalandarov J.J. // Rasmiy xabarnoma. - 2012 yil. - № 9.
6. O'zbekiston Respublikasining patent № IAP 04599. Radioelektronika uskunalarini muhofaza qilish moduli / Rahmatov A.Z., Karimov A.V., Yodgorova D.M., Abdulxayev O.A., Qalandarov J.J., Kaxxorov A. / / Rasmiy xabarnoma. - 2012 yil - № 11.
7. Patent O'zbekiston № IAP 04600. Uzoqdan boshqariladigan optoelektronik kalit / Karimov A.V., Yodgorova D.M., Giyasova F.A., Kaxorov A.A. / / Rasmiy xabarnoma. - 2012 yil - № 11.
8. O'zbekiston Respublikasining patent № IAP 04023. Metal-yarimo'tkazgich to'siqli yarimo'tkazgichli qurilma / Karimov A.V., Yedgorova D.M., Saidova R.A., Giyasova F.A., Mirdzhalilova M.A. / / Rasmiy xabarnoma. - 2010 y. - № 6.
9. O'zbekiston Respublikasining patent № IAP 04244. Ko'p funksiyali yarim o'tkazgich qurilmasi / Yodgorova D.M., Karimov A.V., Saidova R.A., Giyasova F.A., Buzrukov U.M., Yakubov A.A. / / Rasmiy xabarnoma. - 2010 y. - № 8.
10. O'zbekiston Respublikasining IAP 04059-sonli patenti Eritma eritmalarini aralashtirish orqali yarimo'tkazuvchi materiallarning epitaksiyaviy o'stirish usullari / Karimov A.V., Yodgorova D.M., Baxranov X.N., Giyasova F.A., Saidova R.A., Xaydarov Sh. A. // Rasmiy xabarnoma. - 2009 yil. - № 2.
11. O'zbekiston Respublikasi patentining № IAP 03974 raqami. Enjektciyali-dala fotodiodi / Yodgorova D.M., Karimov A.V., Ashrapov F.M., Ergashev J.A., Yakubov A.A. / / Rasmiy xabarnoma. - 2009 yil. - № 7.
12. Patent O'zbekiston № IAP 03832. Fotosezgir dala transistorlari / Yodgorova D.M., Karimov A.V., Yuldashev Sh.Sh., Mirdzhalova M.A. / / Rasmiy xabarnoma. -2008. - № 12.
13. O'zbekiston Respublikasining patent № IAP 04002. Yuqori chastotali yuqori tezlikli fotodetektor / Yodgorova D.M., Karimov A.V., Sayidova R.A., Giyasova F.A., Mirdzhalova M.A. / / Rasmiy xabarnoma. - 31.08.2009. - № 8.
14. O'zbekiston Respublikasi patentining № IAP 03955 raqami. Ro'yxatga olish elementi / Yodgorova D.M., Karimov A.V., A'zamova M.X., Mirdzhalilova M.A., Zoirova L.X., Ergashev J.A. // Rasmiya axborotnoma. - 30.06.2009. - № 6.

NASHRLAR

2017
1. A.V. Karimov, A.Z. Rakhmatov, S.P. Skorniakov, D.M. Yodgorova, A.A. Karimov, Sh.M. Kuliev. On mechanism of radiative sensitivity of power diod direct voltage drop // Radio electronics and Communication Systems -New York, 2017, - Vol.60, - Issie 6, - pp 272–274.
2. D.M. Yodgorova. A double-transistor cell on the basis of field-effect transistors. International Journal of Engineering Inventions e-ISSN: 2278-7461, p-ISSN: 2319-6491 Volume 6, Issue 2 [Feb. 2017] PP: 33-36.
3. D.M. Yodgorova. Features of the Current Regulation in Double-Transistor Circuit. Journal of Scientific and Engineering Research, 2017, 4(2):76-77.
4. Yodgorova D.M. Plenkali tenzorezistor ishlab chiqarishning fizik-texnologik jihatlari. / UFJ. T.19. №1. 33-37.
5. Karimov A.V., Djurayev D.R., Turaev A.A. Рhysical-technological aspects of a multifunctional sensor based on a field-effect transistor. World Journal of Engineering research and Technology. 2017, Vol. 3, Issue 2, 57 -63.
6. Karimov A.V., Djurayev D.R., Turaev A.A. Investigation temperature sensitivity of the field-effect transistor in channel cutoff mode. Journal of Scientific and Engineering Research. 2017, 4(2):1-4.
7. R.R. Kobulov, N.A. Matchanov, B.R. Umarov. Quyosh nurlari bilan turli yorug'lik darajalarida bitta kristalli kremniyli quyosh kamerasining yuk oqimining kuchlanish xususiyatlari. // Geliotekhnika, 2017, № 1, s. 22-24.
8. Kobulov R.R., Makhmudov M.A., Gerasimenko S.Y. Current transport mechanism in polycrystalline thin film ultra violet Au-ZnxCd1-xS-Mo- structure with a narrow spectrum of photosensitivity. The 8th International Renewable Energy Congress. March 21-23, 2017, Amman, Jordan.
9. R.R. Kobulov, M.A. Makhmudov, S.Y. Gerasimenko, O.K. Ataboev. Investigation of Composition and Current Transport Mechanism in Polycrystalline thin film ultra violet Au-ZnxCd1-xS-Mo- Structure with Narrow Spectrum of Photosensitivity. Apply Solar Energy, 2017, 53(2), pp.123-125, DOI:10.3103/S0003701X17020098.
10. R.R. Kobulov, N.A. Matchanov, O.K. Ataboev, M.A. Mahmudov. n-CdS/p-Cu(In,Ga)Se2 geterostrukturasi tok oqimining xususiyatlari. DAN O'zR. 2017, 5-son.
11. R.R. Kobulov, N.A. Matchanov, B.R. Umarov. Features of Load Current-Voltage Characteristics of a Monocrystilline Silicon Solar Cell at Various Levels of Solar Illuminations. //Apply Solar Energy, 2017, Vol.53, N4, pp.297-298. DOI:10.3103/S0003701X17040089; http:/link.springer.com/article/10.3103/S0003701X17040089.
12. R.R. Kobulov, М.А. Махмudov, S.Yu. Gerasimenko. Fabrication and investigation of ultravialet Au-ZnxCd1–xS-Mo-structures, Applied Solar Energy, 53(1), 10-12.DOI 10.3103/S0003701X1701008X.

2016
1. A.V. Karimov, D.R. Dzhuraev, Sh.M. Kuliev, and A.A. Turaev. Distinctive features of the temperature sensitivity of a transistor structure in a bipolar mode of measurement // Journal of Engineering Physics and Thermophysics, 2016. Vol. 89, No. 2, P.514-517.
2. A.V. Karimov, D.R. Dzhuraev, Sh.M. Kuliev, and A.A. Turaev. Distinctive features of the temperature sensitivity of a transistor structure in a bipolar mode of measurement. Journal of Engineering Physics and Thermophysics, Vol. 89, No. 2, March, 2016. P.514-517.
3. A.V. Karimov, D.R. Djuraev, O.A. Abdulhaev, A.Z. Rahmatov, D.M. Yodgorova, A.A. Turaev. Tenso properties of field-effect transistors in channel cutoff mode. International Journal of Engineering Inventions e-ISSN: 2278-7461, p-ISSN: 2319-6491 Volume 5, Issue 9 [Oct. 2016] PP: 42-44. www.ijeijournal.com
4. A. Z. Raxmatov, M.Yu. Tashmetov, S.P. Skornyakov, A.V. Karimov. Neytron nurlanishining kremniy kuchlanish chegaralari parametrlariga ta'siri va ularning radiatsiya qarshiligini prognozlash usuli. // Atom fanlari va texnologiyasi masalalari. Seriyali: Radiatsiya shikastlanishi va radiatsiyaviy materialshunoslik fizikasi. 2016.-№3. -C. 10-19.
5. R.R. Kabulov, M.A. Mahmudov, O.K. Ataboyev, M.U. Xaziev. n-CdS/p-CdTe geterostructuraning konversiya samaradorligiga ta'sir qiluvchi omillarni o'rganish. Geliotexnika, 2016, № 1, s. 67-74.
6. R.R. Kabulov, and others. The Study of Factors that Influence on the Effectiveness of the Photoconversion of n-CdS/p-CdTe Heterostructures. Applied Solar Energy, 2016, Vol. 52, No. 1, pp. 61–67.
7. R.R. Kobulov, and others. Fabrication and investigation UV Au-ZnxCd1-xS-Mo-structures. International Engineering, Science and Education Conference (INESEC 2016). Diyarbakir, Turkey, December 1-3, 2016.

2015
1. Karimov A.V., Yodgorova D.M., Kamanov B.M., To'raev A.A. Dala rejimida tranzistorni ishga tushirish rejimida fotovoltaik ta'sir. // Geliotexnika, 2015. №4. C.87-89.
2. Abdulxaev O.A., Yodgorova D.M., Karimov A.V., Kuliev Sh.M. Germaniyli juft bariyerli smikaniya effekti tuzilishiga asoslangan yuqori sezgir fotodetektor // TKEA, 2015. №4. 24-27.
3. Karimov A.V., Yodgorova D.M., Abdulxayev O.A. Yupqa-bazali tranzistorli tuzilmalardagi fizikaviy hodisalar / / Fizicheskaya injenernaya poverxnost, 2015. № 3. 330-334 gacha.
4. Karimov A.V., Yodgorova D.M., Abdulxaev O.A., Kuliev Sh.M. Lavinali kompozit fototransistor, DAN, 2015. No.5, P.11-15
5. Karimov A.V., Yodgorova D.M., Kamanov B.M., Jo'rayev D.R., Turaev A.A. Dala tranzistorning kuchaytirgich xususiyatlarining dinamik yuk sxemasida xususiyatlari // "Surface Physical Engineering", 2015. №1. 12-16.
6. Sinitsa A.V., Glukhov A.V., Skornyakov S.P., Karimov A.V., Raxmatov A.Z. Tarmoqni muhofaza qilish qurilmalari uchun kuchli rektifikator-cheklovchi diodlarni loyihalashning ayrim xususiyatlari // Power Electronics, 2015. №3. 54-56-bandlar.
7. Karimov A.V., Raxmatov A.Z., Safarov X.E., Abdulxayev O.A., Karimov A.A. Kremniyli yuqori chastotali diodalarda joriy xususiyat va vaqtinchalik jarayonlarni o'rganish. UFJ, 2015 yil. № 3. b. 161-165.
8. I.B. Sapaev, Sh.A. Mirsagatov, B. Sapaev, R.R. Kabulov. "Issiqlikka sezgir polikristalli CdS plyonka asosidagi inyeksiya fotodiodlarida fototokni kuchaytirilishi mexanizmi". Fizicheskaya injeneriya poverxnosti, t.13, №2, (2015).

2014
1. Karimov A.V., Karimov A.A., Raxmatov A.Z., Dadamatova K.T. Yuqori chastotali kremniyli p-i-n-diodning issiqlik jarayonlarini modellashtirish // Fizicheskaya injeneriya poverxnosti, 2014. T.12. № 1. - P.14-19.
2. Rakhmatov A. Z. Effect of Neutron Irradiation on the Structure of Silicon p–n Junctions of Voltage Limiters. // Semiconductors, 2014. -Vol. 48, No 7 -Р.935-941.
3. Karimov A. V., Yodgorova D. M., Abdulkhaev O. A. Long Channel Field Effect Transistor with Short Channel Transistor Properties // Semiconductors, 2014. –Vol. 48, –No. 4. –Р. 481-486.
4. Karimov A.V., Yodgorova D.M., Abdulxaev O.A., Kamanova G.O. Kremniyli ikki baryerli strukturaning tok xususiyatlari. // Peterburg Journal of Electronics, 2014. №1. b.18-22.
5. Karimov A.V., Yodgorova D.M., Abdulxaev O.A., Kuliev Sh.M. Bistabil tranzistor elementida elektron generator. // Komponentlar va texnologiyalar, 2014.- Y 11.-b.18-20.
6. Karimov A.V., Yodgorova D.M., Abdulxayev O.A. Ikki to'siqli tuzilishdagi struktura - xotira hodisasi, Surface of Physical Engineering, 2014. T.12. № 3.-C. 357-359.
7. A.V. Karimov, A.Z. Raxmatov, D.M. Yodgorova, O.A. Abdulxayev, A.A. Karimov. p + p0-i-n + da joylashgan vaqtinchalik jarayonning diffuzion-tortish mexanizmlari, UFJ, 2014 y. b.430-433.
8. A.V. Karimov, D.M. Yodgorova, O.A. Abdulxayev, G.O. Kamanova. Kremniyli ikki baryerli strukturalar tuzilishining tok xususiyatlari // Peterburg Journal of Electronics, 2014. №1. b.18-22.
9. Sh.A. Mirsagatov, R.R. Kabulov, M.A. Mahmudov. n-CdS/p-CdTe-geterostruktura asosidagi injekciyali fotodiod. FTP, 2013, 47-son, 6-son, 815-820-son.
10. Sh. A. Mirsagatov, R. R. Kabulov, and M. A. Makhmudov. Injection Photodiode Based on an n_CdS/p_CdTe Heterostructure. Semiconductors, 2013, Vol. 47, No. 6, pp. 825–830. DOI: 10.1134/S106378261306016X.